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电子元器件详细资料 » IC[25780] » NP50P06KDG-E1-AY
型号:NP50P06KDG-E1-AY类别:FET - 单制造商:Renesas Electronics America
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB描述:MOSFET P-CH 60V 50A TO-263

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET P-CH 60V 50A TO-263
系列-
制造商Renesas Electronics America
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V
电流_连续漏极(Id)0a025000C50A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C17 毫欧 @ 25A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.5V @ 1mA
闸电荷(Qg)0a0Vgs95nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds5000pF @ 10V
功率_最大1.8W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装TO-263
包装带卷 (TR)

供应商

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深圳市三得电子有限公司销售部13509684848
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NP50P06KDG-E1-AY相关型号

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